포토다이오드, 포토 transistor(트랜지스터) 에 대해서
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작성일 23-01-27 12:07
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광도전효능를 이용해 저항의 크기가 변하는 CdS셀과 달리 포토다이오드·transistor는 빛이 pn접합부근에 생긴 공핍층에서 전자전공쌍이 발생하여 전공은 p영역으로, 전자는 n영역으로 이동하여 전위가 발생하게 되어 전압차의 발생으로 인해 전류가 발생하게 되는 것이다.
정의(定義) : 포토 다이오드 · 트렌지스터는 pn접합부에 빛이 입사하면 전자·전공쌍을 생성해 전류를 발생시키는 광기전력effect를 이용한 광전변환소자이다.
포토다이오드, 포토 트랜지스터
전자는 n영역의 전도대에, 정공은 p영역의 가전자대에 축적되고, 이로 인해 p영역이 정(+), n영역이 부(-)인 전위가 형성되어 광기전력으로 출력된다된다. 그 전류를 트렌지스터를 이용하여 증폭한 것을 포토트렌지스터라 부르며 반응속도는 느리나 빛에 더 민감한 특성을 가지고 있다. 따라서 포토다이오드보다 더 큰 광전류가 흐르게 된다된다.
pn 접합에 빛이 조사되면, n영역, p영역, 공핍층에서 전자정공 쌍 (pair)이 발생한다.
다.
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p영역에서 발생된 정공은 가전자대에 머무르고, 전자는 공핍층을 통과해 n영역으로 흘러 들어 간다. 하지만 이 과정으로 인해 반응이 포토다이오드보다 느려진다는 단점이 생기게 된다된다.
n영역에서 발생된 전자는 전도대에 머무르고, 정공은 공핍층까지 확산한 다음 그곳에서 전계에 의해 가속되어 p영역으로 흘러 들어 간다. 이런 현상을 광기전력효능라고 한다. 그 전류를 트렌지스터를 이용하여 증폭한 것을 포토트렌지스터라 부르며 反應속도는 느리나 빛에 더 민감한 특성(特性)을 가지고 있따
photo다이오드-TR
포토다이오드, 포토 transistor(트랜지스터) 에 대해서
레포트 > 공학,기술계열
공핍층에서 발생된 전자는 n영역으로, 정공은 p영역으로 내부 전계에 의해서 가속된다
센서의 원리
구조에 따른 종류
순서
3. 센서의 종류 및 특징
설명
photo다이오드-TR 정의 : 포토 다이오드 · 트렌지스터는 pn접합부에 빛이 입사하면 전자·전공쌍을 생성해 전류를 발생시키는 광기전력효과를 이용한 광전변환소자이다. 따라서 포토transistor는 포토다이오드와 달리 1가지 과정을 더치게 되는데 이 과정은 다른 일반적인 transistor의 동작원리와 동일하다.
