[전자Engineering] 이미터 공통 증폭기
페이지 정보
작성일 21-11-01 02:56
본문
Download : 이미터공통증폭기.hwp
목차:
다.
1)實驗 목적
transistor(트랜지스터) 의 베이스로 입력되는 입력전압의 플러스반주기동안 베이스에 흐르는 전류는 증가하여 컬렉터에 흐르는 전류의 증가원인이 된 것이다.
이미터 공통 증폭기에 대한 실험 보고서 입니다.
각 소자의 전압을 직접 측정할 때 왜 반드시 무접지 오실로스코프, 즉 오실로스코프의 케이스가 전기 시스템에 접지되지 않은 오실로스코프를 사용하는 것 일까?
내용요약 :
이미터 공통 증폭기에 대한 실험 보고서 입니다. 컬렉터 저항 양단에 큰 전압강하를 일으키는 것은 증폭을 말한다.
반드시 그럴 필요는 없다. 따라서 Ce를 제거하면 입력임피던스는 증가하게 된다
3가지 증폭 회로 중 CE 증폭기만이 유일하게 입력, 출력위상은 역위상이다. BJT는 current controlled currnet source 이다. 이 전류의 양은 저항과 달리 컬렉터와 이미터 양단에 걸리는 전압에 影響(영향)을 받지 않고 오로지 베이스의 전류양으로만 조절 된다는 뜻이다. 다만 Rc 양단에 걸리는 전압을 측정 할 때에는 접지를 하지 않아야 하는데 그 이유는 오실로 스코프 접지와 dc power supply 접지가 전원 코드에 의해 서로 연결되기 때문일것이다
이미터 공통 증폭기
[전자Engineering] 이미터 공통 증폭기
이 전류 증폭량은 BJT의 전류이득 베타이다.
여기서 설명(說明)하는 transistor(트랜지스터) 는 BJT이다. 전류는 컬렉터에서 이미터로 흐른다. 따라서 컬렉터 저항 양단에 큰 전압 강하를 일으키게 되고 그 결과 컬렉터 전압이 감소되어 출력전압은 마이너스 반주기를 출력하게 되는 것이다
emitter, 이미터 회로, 증폭기, 트랜지스터, 전자회로 실험, 기초전자회로 실험, 기초전기 실험, 증폭회로,
그러면 한 가지 의문점이 처음부터 Re를 낮추면 되지 않을까 생각 하지만 Re는 bias 안정도와 관계된다 즉 Re기 클수록 안정도가 높아진다. 보통 베타는 100~200 정도이다. 베이스 작은 전류의 change(변화)가 컬렉터 양단에 큰 출력을 나타낸다.
CE증폭기의 입력신호와 출력 신호 간에는 어떤 위상관계가 있나?
1)實驗 목적
설명
V = IR formula(공식)에서 R은 BJT의 컬렉터에 있는 출력 저항이다.
다른 CC, CB 증폭회로는 모두 입출력이 동위상이다.
Download : 이미터공통증폭기.hwp( 27 )
3)시뮬레이션 결과
바이패스 커패시터 Ce를 제거하면 입력 임피던스에 어떤 change(변화)가 있을까?
2)관련 理論(이론)
그리고 Re를 제거하면 bias가 걸리지 않아 증폭기 동작을 하지 않는다. 출력 항은 일정하고 출력 전류가 증가하면 큰 전압 강하를 일으킨다.
레포트 > 공학,기술계열
커패시터 Ce의 역할과, 제거 되면 증폭기의 교류 이득, Re의 제거가 증폭기 성능에 미치는 影響(영향)
순서
이미터 공통 증폭기를 구성하여 시뮬레이션과 實驗을 통하여 증폭기로서 transistor(트랜지스터) characteristic(특성)을 이해하는데 목적이 있따
입력임피던스 Zin ≒ Hfe x RE이다. 쉽게 말하면 베이스로 입력전류가 들어가 이미터-베이스로 출력전류가 나온다는 소리이다. 따라서 Ce는 교류이득을 높여 주는 역할을 한다.
2)관련 理論(이론)
CE증폭회로에서 증폭률은 Rc/RE 이다. 직류 증폭일때는 RE = Re이지만 교류인 경우에는 RE = Re//Ce 이다.
베이스로 들어가는 전류가 증가하면 컬렉터-이미터로 흐르는 전류는 증가한다. 여기서 안정도는 공급 전압 변동, 주변 온도 등에 따른 안정도를 의미한다.
